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J-GLOBAL ID：200903044384861310
半導体装置の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992022198
Publication number (International publication number)：1993218024
Application date： Feb. 07, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：
【要約】【目的】 半導体装置の製造方法に係り,特に,配線の形成方法に関し,エッチング効率及びエッチング特性を改善する方法を目的とする。【構成】 半導体基体1上に堆積するアルミニウム及び銅を主体とする導電膜3をエッチングして配線3aを形成するに際し,燐酸,酢酸及び硝酸を含むエッチャントにより導電膜3をエッチングするように構成する。また,エッチャントは燐酸15容に対して 0.1容以上1容以下の濃硝酸を含むように構成する。また,エッチャントの温度を40°C以上60°C以下とするように構成する。
Claim (excerpt)：
半導体基体(1) 上に堆積するアルミニウム及び銅を主体とする導電膜(3) をエッチングして配線(3a)を形成するに際し,燐酸,酢酸及び硝酸を含むエッチャントにより該導電膜(3) をエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/3205
, H01L 21/306
, H01L 21/308
Cited by examiner (6)
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