Pat

J-GLOBAL ID：200903044386275850

導電体材料

Inventor： 佐藤 隆文 ,  大槻 悦夫
Applicant, Patent owner： 株式会社トーキン
Agent (1)： 後藤 洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991221273
Publication number (International publication number)：1993041108
Application date： Aug. 07, 1991
Publication date： Feb. 19, 1993
Summary：

【要約】【目的】 表面実装デバイス内での導電体材料において,Cu,Ni金属を導電体に用いた場合においても,デバイスの特性の劣化を防止することができる導電体材料を提供する。【構成】 表面実装デバイスに用いられる導電体材料である。この導電体材料は,Al,Si,Zr,Be,V,Gaのうち少なくとも一種の元素を0.01wt%〜5wt%含む。そして,残部としてCu,Ni,Ag及びこれらの合金のうちから選択された少なくとも一種を含む。

Claim (excerpt)：

表面実装デバイスに用いられる導電体材料であって,Al,Si,Zr,Be,V,Gaのうち少なくとも一種の元素を0.01wt%〜5wt%と残部としてCu,Ni,Ag及びこれらの合金のうちから選択された少なくとも一種とを含むことを特徴とする導電体材料。

IPC (2)：

H01B 1/02 ,  H01B 1/22

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭62-030165
  
• 特開昭50-093819
  
• 特開昭49-104821
  
• 特開昭61-048543