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J-GLOBAL ID：200903044395898569
多結晶半導体膜の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
岡田 敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994052052
Publication number (International publication number)：1995263340
Application date： Mar. 23, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：
【要約】【目的】 非晶質半導体膜を熱処理を施すことによって形成する多結晶半導体膜形成方法に於て、より大きな結晶粒から成ると共に、その熱処理時間を短時間なものとする製造方法を提供する。【構成】 導電型決定不純物が所定の濃度でドーピングされた非晶質半導体膜(2)と、真性非晶質半導体膜(3)とを、接触状態で熱処理を施すことにより多結晶化させることにある。
Claim (excerpt)：
導電型決定不純物が所定量にドーピングされた非晶質半導体膜と、半導体膜とを、接触状態で熱処理を施すことによりこれら半導体膜を多結晶化させる多結晶半導体膜の製造方法であって、上記所定量が、上記非晶質半導体膜からの多結晶化が急激に進行せしめる量に設定されていることを特徴とする多結晶半導体膜の製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/20
, H01L 21/02
, H01L 21/324
, H01L 31/04
Cited by examiner (9)
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