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J-GLOBAL ID：200903044400774369

フラックス残渣除去方法及びその装置

Inventor： 纐纈 康影
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山本 秀樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993288801
Publication number (International publication number)：1995122595
Application date： Oct. 26, 1993
Publication date： May. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】 環境破壊につながる有機溶剤等を使用せずに短時間に連続してフラックス残渣の除去を簡単に行うことができるフラックス残渣除去方法及びその装置を提供する。【構成】 チップ3に設けられたはんだバンプ4にフラックス5を塗布し、このフラックス5の粘着力でチップ3をセラミック基板1上に位置決めしてリフローするチップのはんだ付けにおいて、はんだ付けされた部分にプラズマを吹き付けて残渣フラックス5Aの有機成分を酸化分解させてガス化し、前記有機成分を除去した後に残渣として残った無機物5aに不活性ガスを吹き付け、無機物5aを飛ばして除去するようにした。

Claim (excerpt)：

チップまたは基板導体上に設けられた予備はんだにフラックスを塗布し、このフラックスの粘着力で前記チップを前記基板導体上に位置決めしてリフローするチップのはんだ付けにおいて、はんだ付けされた部分にプラズマを吹き付けて残渣フラックスの有機成分を酸化分解させてガス化し、前記有機成分を除去した後に残渣として残った無機物に気体を吹き付けて飛ばして前記残渣フラックスを除去するようにしたことを特徴とするフラックス残渣除去方法。

IPC (2)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 321

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特表平5-500026
  
• 半導体装置の実装方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-175651   Applicant：松下電工株式会社
• 特開昭56-078133