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J-GLOBAL ID：200903044413301486

窒化物半導体レーザ素子及びその共振器の作製方法

Inventor： 小崎 徳也 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995275220
Publication number (International publication number)：1997116232
Application date： Oct. 24, 1995
Publication date： May. 02, 1997
Summary：

【要約】【目的】 基板上に窒化物半導体がLDの構造となるように積層されたウェーハから、窒化物半導体の共振器の作製方法を提供して、レーザ発振可能なレーザ素子を実現する。【構成】 スピネル基板上に窒化物半導体を積層した後、その基板を切断して、その切断面を共振器とすることにより、共振器面の凹凸が少なく、窒化物半導体層の割れ、欠けの少ないレーザ素子を得る。

Claim (excerpt)：

基板上に窒化物半導体が積層されて、対向する窒化物半導体端面を共振器とする窒化物半導体レーザ素子において、前記基板がスピネルよりなり、さらに前記共振器はスピネル基板に積層された窒化物半導体ウェーハが切断された切断面であることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-305257   Applicant：旭化成工業株式会社
• 特開昭49-053388