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J-GLOBAL ID：200903044418760349

エッチング後処理方法

Inventor： 斉藤 剛 ,  吉開 元彦
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立テクノエンジニアリング株式会社
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994224787
Publication number (International publication number)：1996085887
Application date： Sep. 20, 1994
Publication date： Apr. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】本発明の目的はインラインアッシングにより被エッチング材としてWを用いた単層膜あるいは積層膜のエッチング処理後のレジスト及び付着物除去を簡略化し、他装置によるレジスト除去及び湿式洗浄処理を省略又は簡略化する後処理方法を提供することにある。【構成】エッチング処理されたウェハは、図示を省略した真空搬送装置により図1の後処理室に搬送される。後処理室では、ガス流量制御弁2によって制御された後処理用ガスを後処理室3に導入し、圧力調整弁5によって処理室内の圧力を調整する。この状態でマイクロ波発生器6により発信されたマイクロ波により後処理用ガスがプラズマ化され、レジストと付着物を同時に除去する。

Claim (excerpt)：

半導体基板に設けた酸化膜上の被エッチング材料であるタングステン(W)膜のエッチング処理後、真空搬送装置により後処理室に搬送されたウエハに対し、レジストと付着物とを同時にマイクロ波プラズマによるドライプラズマプロセスにより除去する工程を有することを特徴とするエッチング後処理方法。

IPC (2)：

C23F 4/00 ,  H01L 21/3065

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-154336
  
• 特開平4-087332
  
• 特開平3-016126