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J-GLOBAL ID：200903044423304173
密着型イメージセンサ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
住吉 多喜男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991250243
Publication number (International publication number)：1993063902
Application date： Sep. 04, 1991
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：
【要約】【目的】 二次元密着型イメージセンサにおいて、性能の劣化や歩留りの低下を招かずに開口率を上げる。【構成】 スイッチング素子と原稿照射用窓を有する受光素子とを直列に接続した画素の複数箇が、原稿と同程度の大きさを有する透光性基板上にマトリックス状に二次元配列され、各スイッチング素子は、X方向のライン選択用のゲート線にゲート電極が所定の単位で接続されるとともにY方向に設けられたデータ線にソース電極またはドレイン電極がゲート電極とは異なる単位で接続されており、全ての受光素子の一端の電極が共通に接続された二次元密着型イメージセンサにおいて、受光素子の共通に接続される電極がイメージセンサの全体の上面に配置されたシート状の透明電極により接続した。
Claim (excerpt)：
原稿照射用窓を有する受光素子とスイッチング素子とを直列に接続した画素の複数箇が、透光性基板上にマトリックス状に二次元配列され、各スイッチング素子は、X方向のライン選択用のゲート線にゲート電極が所定の単位で接続されるとともにY方向に設けられたデータ線にソース電極またはドレイン電極がゲート電極とは異なる単位で接続されており、全ての受光素子の一端の電極が共通に接続された二次元密着型イメージセンサにおいて、共通に接続される前記全ての受光素子の一端の電極がイメージセンサの全体の上面に配置されたシート状の透明電極により接続されることを特徴とする密着型二次元イメージセンサ。
IPC (3)：
H04N 1/028
, H01L 27/146
, H04N 5/335
