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J-GLOBAL ID：200903044479471307
半導体発光素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小池 隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999003711
Publication number (International publication number)：1999251636
Application date： Apr. 21, 1993
Publication date： Sep. 17, 1999
Summary：
【要約】【課題】 炭化珪素を用いたpn接合型発光ダイオードの動作電圧の低減化と発光強度の向上を目的とする。【解決手段】 炭化珪素を用いたpn接合型発光ダイオードのn型炭化珪素基板裏面3に、Niからなるオーミック電極2と前記オーミック電極と電気的に接触するAl、Ag、Ptのいずれかからなる補助電極とからなる複合電極を設け、前記n型炭化珪素基板の主面に対する面積の割合が5〜20%であり、前記炭化珪素基板の該主面側をマウントする構成による。単一金属材料の電極と比較して、より一層の動作電圧の低減化と発光強度の向上を達成でき、高信頼で、高輝度の青色発光ダイオードを実現できる。
Claim (excerpt)：
n型炭化珪素基板を用いた半導体発光素子において、前記n型炭化珪素基板の主面に対する面積の割合が5〜20%であるオーミック電極と、前記オーミック電極と電気的に接触するAl、Ag、Ptのいずれかからなる補助電極とを、前記n型炭化珪素基板の一主面上に有し、前記炭化珪素基板の該主面側をマウントすることを特徴とする半導体発光素子。
FI (2)：
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 A
