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J-GLOBAL ID：200903044486509867
ドライエツチング方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991275328
Publication number (International publication number)：1993114585
Application date： Oct. 23, 1991
Publication date： May. 07, 1993
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、ドライエッチング方法に関し、ドライエッチング終了時にゲート電極上に溜まった電荷をゲート絶縁膜側に逃げ難くすることができ、チャージアップによるゲート絶縁膜の絶縁破壊を低減することができ、製造歩留りを良好にすることができるドライエッチング方法を提供することを目的とする。【構成】 被処理基板に高周波電力を印加するプラズマエッチング方法において、該被処理基板に印加する高周波電力以外に少なくとも1つ以上のプラズマ発生源を設け、ドライエッチング終了後に該被処理基板に印加する高周波電力をオフし、オフされた状態下で該プラズマ発生源により該被処理基板をプラズマに曝すように構成する。
Claim (excerpt)：
被処理基板に高周波電力を印加するプラズマエッチング方法において、該被処理基板に印加する高周波電力以外に少なくとも1つ以上のプラズマ発生源を設け、ドライエッチング終了後に該被処理基板に印加する高周波電力をオフし、オフした状態下で該プラズマ発生源により該被処理基板をプラズマに曝すことを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (2)：
H01L 21/302
, H01L 29/784
