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J-GLOBAL ID：200903044497834425

半導体光第2高調波発光素子

Inventor： 岩田 普
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 本庄 伸介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991229425
Publication number (International publication number)：1993048198
Application date： Aug. 14, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 光第2高調波発光素子を形成する。【構成】 水平方向の半導体レーザ構造12を有し、積層した光第2高調波発生領域13を有し、傾斜型反射面10により、発振レーザ光を光第2高調波発生領域13に導く。位相整合条件は、グレーティング5および多層膜構造により満たされる。レーザと一体化し、有効に第2高調波が発生できる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された発振光の角周波数がωである水平型の半導体レーザ構造を有し、前記レーザ構造の片端面に第1傾斜型反射面を有し、前記半導体レーザ構造上に積層した2次の非線形光学特性を有する、角周波数2ωの光を透過する半導体材料からなる光第2高調波発生領域を有し、前記第1傾斜型反射面上の前記光第2高調波発生領域に第2傾斜型反射面を有し、前記光第2高調波発生領域に導波路構造またはグレーティング構造を有し、角周波数ω及び2ωの光に対し位相整合しており、前記レーザ構造より放射した角周波数ωの光を前記第1傾斜型反射面および前記第2傾斜型反射面により前記光第2高調波発生領域に導びき、角周波数2ωの光に変換し、外部水平方向に角周波数2ωの光を出射する事を特徴とする発光素子。