Pat

J-GLOBAL ID：200903044525749420

磁場制御型反応性イオンエッチング用ポリイミド

Inventor： 佐々木 重邦 ,  松浦 徹 ,  古谷 彰教 ,  澤田 廉士
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 中本 宏 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992276828
Publication number (International publication number)：1994101070
Application date： Sep. 22, 1992
Publication date： Apr. 12, 1994
Summary：

【要約】【目的】 磁場制御型反応性イオンエッチングに用いる加工速度が早いポリイミド及びその使用方法を提供する。【構成】 フッ素含量が5wt%から28wt%の範囲で、かつ繰返し単位中にパーフルオロアルキル基を有するフッ素化ポリイミドが含まれている磁場制御型反応性イオンエッチング用ポリイミド。反応性イオンエッチングを用いる精密加工において、加工材として前記ポリイミドを用いる反応性イオンエッチング方法。【効果】 加工表面が平滑であり、膜の品質も優れている。

Claim (excerpt)：

フッ素含量が5wt%から28wt%の範囲で、かつ繰返し単位中にパーフルオロアルキル基を有するフッ素化ポリイミドが含まれていることを特徴とする磁場制御型反応性イオンエッチング用ポリイミド。

IPC (5)：

C23F 4/00 ,  C23F 1/00 ,  G03F 7/038 504 ,  H05K 1/03 ,  C08G 73/10 NTF