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J-GLOBAL ID：200903044549635752

炭素元素円筒型構造体の製造方法

Inventor： 粟野 祐二
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 石田 敬 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001359661
Publication number (International publication number)：2003165713
Application date： Nov. 26, 2001
Publication date： Jun. 10, 2003
Summary：

【要約】【課題】 カーボンナノチューブに代表される炭素元素円筒型構造体を、太さ制御性を飛躍的に向上させるとともにカイラリティ変化やねじれを抑制して基材上にCVD法により成長させるのを可能にする炭素元素円筒型構造体製造方法の提供。【解決手段】 基材11の表面に金属イオン13を注入し、続いて当該金属イオン13を触媒とするCVD法により炭素元素円筒型構造体16を成長させるようにする。

Claim (excerpt)：

化学気相成長法で基材上に成長させることにより炭素元素円筒型構造体を製造する方法であって、基材表面に金属イオンを注入し、続いて当該金属イオンを触媒として炭素元素円筒型構造体を成長させることを特徴とする炭素元素円筒型構造体製造方法。

F-Term (4)：

4G046CA02 ,  4G046CB03 ,  4G046CC06 ,  4G046CC08