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J-GLOBAL ID：200903044560130409

III族窒化物系化合物半導体発光素子

Inventor： 上村 俊也 ,  長坂 尚久
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 小西 富雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999178297
Publication number (International publication number)：2001007392
Application date： Jun. 24, 1999
Publication date： Jan. 12, 2001
Summary：

【要約】【目的】 製造効率が高く、かつ光の取り出し効率も高いIII族窒化物系化合物半導体発光素子を提供する。【構成】 基板のIII族窒化物系化合物半導体層が積層された面の反対の面に50Å〜2000Åの厚さのRhからなる反射層を設ける。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に形成される半導体層と、前記基板の前記半導体層が形成される面と反対の面に50Å〜2000Åの厚さのRhからなる反射層を備えてなるIII族窒化物系化合物半導体発光素子。

F-Term (21)：

5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041CA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA67 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F041CA85 ,  5F041CA88 ,  5F041DA02 ,  5F041DA07 ,  5F041DA18 ,  5F041DA43