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J-GLOBAL ID：200903044564687220

耐熱低誘電率薄膜、その形成方法、その耐熱低誘電率薄膜からなる半導体層間絶縁膜及びこの半導体層間絶縁膜を用いた半導体装置

Inventor： 角田 誠 ,  信時 英治 ,  三上 登
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 宮田 金雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999181147
Publication number (International publication number)：2001015496
Application date： Jun. 28, 1999
Publication date： Jan. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】 本発明の目的は、耐熱性に優れ、誘電率が低く、半導体素子、電気回路部品などに適用可能な薄膜を提供することである。【解決手段】 元素記号がBとNとHとからなる分子で構成される薄膜であって、組成がBの1原子に対して、0.7<N原子数<1.3および1.0<H原子数<2.2なる関係を満足し、誘電率が2.4以下である耐熱低誘電率薄膜。

Claim (excerpt)：

元素記号がBとNとHとからなる分子で構成される薄膜であって、組成がBの1原子に対して、0.7<N原子数<1.3および1.0<H原子数<2.2なる関係を満足し、誘電率が2.4以下であることを特徴とする耐熱低誘電率薄膜。

F-Term (8)：

5F045AA08 ,  5F045AB31 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD06 ,  5F045AE21 ,  5F045CB05 ,  5F045DC63