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J-GLOBAL ID：200903044569061558

ECRプラズマ処理装置

Inventor： 片山 克生 ,  久田 正浩
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 井内 龍二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993293321
Publication number (International publication number)：1995147199
Application date： Nov. 24, 1993
Publication date： Jun. 06, 1995
Summary：

【要約】【構成】 マイクロ波を導入するためのマイクロ波導入部(石英ガラス板33、フランジ46、マイクロ波導入口34)を有し、その内部においてプラズマにより試料Sを処理するための真空容器30と、真空容器30内に前記マイクロ波導入部を介してマイクロ波を導入する手段と、真空容器30内に磁界を形成するための磁界形成手段(励磁コイル37、励磁コイル44及び励磁コイル45)とを備え、真空容器30内においてマイクロ波による電界と磁界とによって起こる電子サイクロトロン共鳴現象を利用してプラズマを発生させ試料Sを処理するECRプラズマ処理装置において、前記磁界形成手段を構成するヨ-ク11が真空容器30のマイクロ波導入部近傍まで延設されているECRプラズマ処理装置。【効果】 ECR面をマイクロ波導入口34に対して平坦あるいは凹形状とすることができ、プラズマ生成室31において均一なプラズマを生成することができる。また、励磁コイル37の消費電力を削減することができる。

Claim (excerpt)：

マイクロ波を導入するためのマイクロ波導入部を有し、その内部においてプラズマにより試料を処理するための真空容器と、該真空容器内に前記マイクロ波導入部を介してマイクロ波を導入する手段と、前記真空容器内に磁界を形成するための磁界形成手段とを備え、前記真空容器内においてマイクロ波による電界と磁界とによって起こる電子サイクロトロン共鳴現象を利用してプラズマを発生させ試料を処理するECRプラズマ処理装置において、前記磁界形成手段を構成するヨ-クが前記真空容器のマイクロ波導入部の近傍にまで延設されていることを特徴とするECRプラズマ処理装置。

IPC (4)：

H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-063275
  
• 特開平4-063275
  
• 特開平4-063275
  
• 特開平4-063275