C-SiC焼結体およびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：楠本高義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004081673
Publication number (International publication number)：2004339048
Application date： Mar. 19, 2004
Publication date： Dec. 02, 2004
Summary：

【課題】黒鉛焼結体、C-Cコンポジットに匹敵する、またはそれ以上の耐圧性、耐熱性、硬度、導電性等の物性を有するC-SiC焼結体およびその製造方法を提供しようとする。【解決手段】放電プラズマ焼結法により焼結された、C-SiC焼結体であり、黒鉛素材と同等またはそれ以上の特性を有し、さらに耐熱性、耐圧性はより優れる。また、C-Cコンポジットに匹敵、またはそれ以上の密度、機械的強度を有する。平均粒径10nm〜100nmのSiC粒子と、平均粒径5nm〜500μmの炭素粒子の混合物を得る工程と、所望する形状の焼結型内に混合粉末を充填する工程、および焼結型内に充填された粉末を加圧焼結プロセスにて焼結する工程を含み、焼結条件を焼結温度1600〜2200°Cの範囲内で昇温させ、保持時間0〜2時間とすることにより行う。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

SiCを1重量%〜95重量%、Cを99重量%〜5重量%含み、相対密度70%〜99.5%であり、電気抵抗1×10-6Ω・m〜30×10-4Ω・mである、C-SiC焼結体。

IPC (2)：

C04B35/52 , C04B35/565

FI (2)：

C04B35/52 B , C04B35/56 101H

F-Term (39)：

4G001BA02 , 4G001BA22 , 4G001BA60 , 4G001BA68 , 4G001BB22 , 4G001BB23 , 4G001BB60 , 4G001BB68 , 4G001BC01 , 4G001BC13 , 4G001BC41 , 4G001BC42 , 4G001BC43 , 4G001BD01 , 4G001BD12 , 4G001BD14 , 4G001BD22 , 4G001BE15 , 4G132AA01 , 4G132AA02 , 4G132AA04 , 4G132AA09 , 4G132AA22 , 4G132AA23 , 4G132AA31 , 4G132AA47 , 4G132AA48 , 4G132AA72 , 4G132AA75 , 4G132AB01 , 4G132BA11 , 4G132BA14 , 4G132CA06 , 4G132GA01 , 4G132GA28 , 4G132GA31 , 4G132GA43 , 4G132GA44 , 4G132GA45

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

特公平1-16789号
等方性高強度黒鉛材料の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-173130 Applicant：東海カーボン株式会社

Cited by examiner (1)

特開平2-192412

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

メカニカルアロイング法を用いた板状炭化ケイ素粒子の自己分散によるセラミックスの作製

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