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J-GLOBAL ID：200903044595808394

フオトリソグラフイによる構造物の製造方法

Inventor： レカイ ゼチ ,  ホルスト ボルンデルフアー ,  ライナー ロイシユナー ,  ミヒアエル ゼバルト ,  ジークフリート ビルクレ ,  ヘルムート アーネ
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 富村 潔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991353048
Publication number (International publication number)：1993011457
Application date： Dec. 18, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 急勾配の側面を有する高解像構造物をフォトリソグラフィ法で製造する方法を得る。【構成】 基板上に無水カルボン酸-及びカルボン酸-第3ブチルエステル基を含むポリマー、露光時に酸を遊離する光開始剤及び適当な溶剤からなるフォトレジスト層を施し、このフォトレジスト層を乾燥し、フォトレジスト層を像に応じて露光し、露光されたフォトレジスト層を熱処理し、このように処理したフォトレジスト層を液体シリル化し及びシリル化したフォトレジスト層を異方性酸素プラズマ中で乾式現像し、その際熱処理は露光された範囲でフォトレジストが疎水性になるように行う各工程よりなる。

Claim (excerpt)：

サブミクロン範囲のフォトリソグラフィ構造物を製造する方法において、-基板上に無水カルボン酸-及びカルボン酸-第3ブチルエステル基を含むポリマー、露光時に酸を遊離する光開始剤及び適当な溶剤からなるフォトレジスト層を施し、-このフォトレジスト層を乾燥し、-フォトレジスト層を像に応じて露光し、-露光されたフォトレジスト層を熱処理し、-このように処理したフォトレジスト層を液体シリル化し、-シリル化したフォトレジスト層を異方性酸素プラズマ中で乾式現像し、その際熱処理は露光された範囲でフォトレジストが疎水性になるように行う各工程よりなることを特徴とするサブミクロン範囲のフォトリソグラフィによる構造物の製造方法。

IPC (7)：

G03F 7/26 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/027 502 ,  G03F 7/029 ,  G03F 7/36 ,  G03F 7/38 512 ,  H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/30 361 K ,  H01L 21/30 361 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 特開昭60-085526
  
• 特開昭60-284924
  
• 特開平2-149854
  
• 特開昭63-096655
  
• 特開平2-257140
  
• 特開平1-297648
  
• 特開平2-309360