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J-GLOBAL ID：200903044595984648

半導体装置およびその実装構造

Inventor： 石井 利昭 ,  江口 州志 ,  小角 博義
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995261207
Publication number (International publication number)：1997102564
Application date： Oct. 09, 1995
Publication date： Apr. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】低誘電率で、かつ耐はんだリフロー性,高温放置特性の良好な半導体装置および半導体装置を提供する。【解決手段】分子中に複数個のシアネートエステル基を有するシアネートエステル樹脂とシリカ充填剤を必須成分とする封止樹脂組成物で封止したことを特徴とする半導体装置。

Claim (excerpt)：

電気回路が形成されたシリコン素子とこれと電気的に接続された外部リードの一部を封止してなる半導体装置において、封止樹脂層の線膨張係数が20ppm/°C以下、周波数1MHzでの比誘電率が4以下の封止樹脂組成物で封止されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 21/52 ,  H01L 21/56

FI (3)：

H01L 23/30 R ,  H01L 21/52 D ,  H01L 21/56 R