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J-GLOBAL ID：200903044601892491

選択的ポリマー蒸着を用いたプラズマエッチング方法及びこれを用いたコンタクトホール形成方法

Inventor： 秋 昌 熊 ,  安 太 赫 ,  鄭 相 燮 ,  金 智 洙
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000221296
Publication number (International publication number)：2001068462
Application date： Jul. 21, 2000
Publication date： Mar. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】 選択的ポリマー蒸着を用いたプラズマエッチング方法及びこれを用いたコンタクトホール形成方法を提供する。【解決手段】 所定のフォトレジストパターンをマスクとして基板上の絶縁膜をプラズマを用いてエッチングするプラズマエッチング方法であって、(a)前記フォトレジストパターンをマスクとして前記絶縁膜を所定時間プラズマエッチングする段階と、(b)前記フォトレジストパターンの上部にポリマーを選択的に蒸着してポリマー層を形成する段階と、(c)前記フォトレジストパターン及び前記ポリマー層をマスクとして前記絶縁膜をプラズマエッチングする段階とを含むことを特徴とする選択的ポリマー蒸着を用いたプラズマエッチング方法である。

Claim (excerpt)：

所定のフォトレジストパターンをマスクとして基板上の絶縁膜をプラズマを用いてエッチングするプラズマエッチング方法であって、(a)前記フォトレジストパターンをマスクとして前記絶縁膜を所定時間プラズマエッチングする段階と、(b)前記フォトレジストパターンの上部にポリマーを選択的に蒸着してポリマー層を形成する段階と、(c)前記フォトレジストパターン及び前記ポリマー層をマスクとして前記絶縁膜をプラズマエッチングする段階とを含むことを特徴とする、選択的ポリマー蒸着を用いたプラズマエッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768

FI (4)：

H01L 21/302 J ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/302 M ,  H01L 21/90 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 特開平4-125925
  
• 特開平4-061333
  
• 特開昭62-154734
  
• プラズマエッチング方法およびプラズマエッチング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-319942   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• ドライエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-046819   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平4-152521
  
• 酸化物層のエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-344698   Applicant：サイプレス・セミコンダクタ・コーポレーション
• テーパー形状の形成方法およびプラズマエッチング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-259841   Applicant：日本鋼管株式会社