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J-GLOBAL ID：200903044607831397
半導体装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
林 敬之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991275826
Publication number (International publication number)：1993113581
Application date： Oct. 23, 1991
Publication date： May. 07, 1993
Summary：
【要約】【目的】 本発明は電気絶縁性基板上にある半導体シリコン単結晶膜上に少なくも画素アレイ部の形成されている光弁基板用半導体装置において、十分大きなON/OFF比を持ち、しかも寄生チャネルのない十分低いリーク電流値が得られる画素電極群への選択給電用スイッチングトランジスタを持つ半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 画素電極群への選択給電用スイッチングトランジスタは、P型の電界効果型絶縁ゲートトランジスタであることを特徴とする。このP型の電界効果型ゲートトランジスタはLDD構造のトランジスタであると、更にリーク電流値の少ない性質を持つ。
Claim (excerpt)：
電気絶縁性物質上にある半導体シリコン単結晶膜上に、少なくとも画素電極群に対して選択給電を行うスイッチ素子群から成る画素アレイ部が形成された光弁基板用半導体装置において、前記スイッチ素子群はP型の絶縁ゲート電界効果型トランジスタであることを特徴とする光弁基板用半導体装置。
IPC (3)：
G02F 1/136 500
, H01L 27/12
, H01L 29/784
