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J-GLOBAL ID：200903044616160020
配線構造およびその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993069197
Publication number (International publication number)：1994260444
Application date： Mar. 03, 1993
Publication date： Sep. 16, 1994
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、単結晶シリコン基板と配線との接続部分にバリア性に優れた膜を形成することにより、配線構造のバリア性の向上を図る。【構成】 少なくとも単結晶シリコン基板11と配線16との接続領域における当該単結晶シリコン基板11と当該配線16との間に、単結晶窒化チタン膜15を設けたものである。この単結晶窒化チタン膜15を形成するには、清浄化処理によって単結晶シリコン基板11の表面を清浄化した後、単結晶シリコン基板11を非酸化性の雰囲気に保持した状態で、その単結晶シリコン基板11の結晶方位を基にして、単結晶窒化チタン膜のエピタキシャル成長種17を生成し、続いてそのエピタキシャル成長種17を種にしてエピタキシャル成長させて単結晶窒化チタン膜15を形成する。エピタキシャル成長種の生成には、例えば700°C以上1250°C以下の温度雰囲気で行う。
Claim (excerpt)：
単結晶シリコン基板に配線を接続した配線構造において、少なくとも前記単結晶シリコン基板と前記配線との接続領域における当該単結晶シリコン基板と当該配線との間に、単結晶窒化チタン膜を設けたことを特徴とする配線構造。
IPC (2)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/28
