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J-GLOBAL ID:200903044616468530

タングステンのエッチング方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 半田 昌男
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991355214
Publication number (International publication number):1993175170
Application date: Dec. 20, 1991
Publication date: Jul. 13, 1993
Summary:
【要約】【目的】 本発明は、エッチングレートが速く、タングステンのエッチング表面が平滑で内部にシームを生じないタングステンのエッチング方法を提供する。【構成】 エッチング工程を2つのステップに分け、第1のステップではSF6 を主体としたCl2 、O2 を含む混合ガスを、第2のステップではCl2 を主体としたSF6 、O2 を含む混合ガスをプロセスガスとして使用する。これにより、第1のステップではエッチングレートが速く、かつタングステン16内部にシームが生ぜず、第2のステップではタングステン16のエッチング表面が平滑となり、反応生成物が容易に蒸発するので処理が円滑に進む。また両ステップともO2 を含むので、第1及び第2のステップの切り換えの再現性が高まる。
Claim (excerpt):
基層の上に形成したタングステンの層をエッチングするタングステンのエッチング方法において、エッチングの工程を2つのステップに分け、第1のステップではSF6 を主体とした混合ガスをプロセスガスとして使用し、第2のステップではCl2 を主体とした混合ガスをプロセスガスとして使用することを特徴とするタングステンのエッチング方法。
IPC (2):
H01L 21/302 ,  C23F 4/00

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