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J-GLOBAL ID：200903044630081346

窒化ガリウム系化合物半導体素子

Inventor： 上村 俊也 ,  柴田 直樹 ,  野杁 静代
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997047064
Publication number (International publication number)：1998229219
Application date： Feb. 14, 1997
Publication date： Aug. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】パッド電極の剥離を防止し、発光輝度を向上させること。【解決手段】p 型GaN から成るコンタクト層17上に, コバルト(Co)と金(Au)から成る透光性電極18A が形成され, 電極18A 上の一部にクロム(Cr),Co,Auから成るパッド電極20が形成される。Crは窒素に対して反応性を有し, 合金化処理により電極20のCrとコンタクト層17のGaN とが反応し, 電極20と電極18A との密着性が向上する。このCrとGaN との反応によりコンタクト層17内に窒素の空孔が発生し, この空孔によるドナーがアクセプタとして補償することにより正孔濃度が減少するため, 電極20下におけるコンタクト層17と電極18A との接合面近傍に高抵抗領域171 が形成され, 電流は電極20下を流れず電極18A の方に流れる。電極20は透光性がなく, 実質的に光を外部に取り出せないので, この部分を流れる電流を電極18A の方に流すことで電極18A の電流密度が高まり, 発光輝度が向上する。

Claim (excerpt)：

p型の窒化ガリウム系化合物半導体を有する素子において、前記p型の窒化ガリウム系化合物半導体上に形成された透光性を有した電流拡散電極と、窒素に対して反応性を有する金属を含み、前記電流拡散電極上に形成されたボンディング用のパッド電極とを備え、合金化処理により前記金属と前記p型の窒化ガリウム系化合物半導体とが反応し、前記p型の窒化ガリウム系化合物半導体上の前記パッド電極下に高抵抗領域が形成されたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子。

FI (2)：

H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-081948   Applicant：豊田合成株式会社