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J-GLOBAL ID：200903044630879160

厚膜ガスセンサ

Inventor： 河田 泰之
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993227662
Publication number (International publication number)：1994288953
Application date： Sep. 14, 1993
Publication date： Oct. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】抵抗値の経時安定性と、初期鳴動特性に優れる厚膜ガスセンサを得る。【構成】基板1に対して酸化スズに白金を担持した第一の被覆層3と、酸化パラジウムの薄膜である第一の触媒層4と酸化スズからなる感ガス層5と、酸化パラジウムの薄膜である第二の触媒層6と、酸化スズに白金を担持した第二の被覆層7を順次積層する。

Claim (excerpt)：

金属酸化物半導体の抵抗値の変化を利用してガスの有無を検出する厚膜ガスセンサであって、(1)基板と、(2)第一の被覆層と、(3)第一の触媒層と、(4)感ガス層と、(5)第二の触媒層と、(6)第二の被覆層とを包含し、基板は絶縁性で、厚膜ガスセンサにおける支持体であり、第一および第二の被覆層は金属酸化物に貴金属触媒を担持してなる層であり、感ガス層は金属酸化物半導体の厚膜であり、第一および第二の触媒層は貴金属酸化物の薄膜であり、基板上に第一の被覆層、第一の触媒層、感ガス層、第二の触媒層、第二の被覆層を順次積層してなることを特徴とする厚膜ガスセンサ。