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J-GLOBAL ID：200903044636143602

半導体レーザ装置

Inventor： 石井 光男 ,  水野 優
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992079318
Publication number (International publication number)：1993243690
Application date： Feb. 27, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ジャンクションダウンボンディングされた半導体レーザ装置において、LDチップとサブマウントの界面より突出するはんだのウェット性を改善し、突出はんだによるレーザ光のケラレを防止する。【構成】 サブマウント2のダイシング面にもメタライズ14を施した。【効果】 LDチップとサブマウントのダイボンド時にはみ出したはんだは、メタライズされたダイシング面全体へ拡散され突出状態がなくなる。

Claim (excerpt)：

放熱用ブロック上に載置されたサブマウントと、前記サブマウント上に載置されたLDチップとを有する半導体レーザ装置において、上記サブマウントは、上記LDチップとのダイボンド面と、上記放熱用ブロックとのダイボンド面と、上記LDチップの光システムの光源として用いられるレーザ光の発光端面側のダイシング面とにメタライズを施したものであることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 23/12