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J-GLOBAL ID：200903044638328995

デュアルゲート電界効果型半導体装置

Inventor： 阿河 圭吾
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992092391
Publication number (International publication number)：1993267692
Application date： Mar. 19, 1992
Publication date： Oct. 15, 1993
Summary：

【要約】【目的】複雑な製造工程を経ることなく容易に製造することができる、混変調特性の優れたデュアルゲート電界効果型半導体装置を提供する。【構成】第2ゲート部14のチャンネル幅(W2)が第1ゲート部12のチャンネル幅(W1)よりも大きいことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

第2ゲート部のチャンネル幅が第1ゲート部のチャンネル幅よりも大きいことを特徴とするデュアルゲート電界効果型半導体装置。