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J-GLOBAL ID：200903044649659608

高耐圧ダイオードおよびその製造方法

Inventor： 松崎 一夫
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 篠部 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997357444
Publication number (International publication number)：1999186568
Application date： Dec. 25, 1997
Publication date： Jul. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】高耐圧ダイオードにおいて、半導体ウエハの積層枚数を軽減し、低コスト化を図る。【解決手段】貼り合わせ酸化膜10の両面にn+ 層2、n層1、p+ 層3の横型ダイオード部が3個Ni膜5で直列接続され、且つ、この直列接続されたものがリード端子7を固着するはんだ6を介して並列接続される。横型ダイオード部表面は熱酸化膜4で被覆され、さらにNi膜5で被覆されていない熱酸化膜上が表面保護膜であるJCR8(ジャンクションコーティングレジン)で被覆される。さらにリード端子を露出させて、その他の表面をエポキシなどの樹脂9で被覆する。 このようにして、貼り合わせ酸化膜10の両面に形成された3個の横型ダイオード部が直列接続され、さらにそれらが並列接続される高耐圧ダイオードとする。

Claim (excerpt)：

2枚の半導体ウエハが第1酸化膜を介して貼り合わされた半導体基板(SOIウエハと称す)の、それぞれの半導体ウエハに、多数の横型ダイオードユニットを形成し、該横型ダイオードユニットが半導体ウエハ毎に直列接続され、半導体基板から切り出して形成することを特徴とする高耐圧ダイオード。