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J-GLOBAL ID：200903044650788233

レジストパターン形成用処理液及びレジストパターン形成方法

Inventor： 富山 英昇 ,  畠山 晴夫
Applicant, Patent owner： ソマール株式会社
Agent (1)： 池浦 敏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000060541
Publication number (International publication number)：2000321789
Application date： Mar. 06, 2000
Publication date： Nov. 24, 2000
Summary：

【要約】【課題】 スチレンとハロベンゾイルオキシアルキルメタクリレート及び/又はハロベンゾイルオキシヒドロキシアルキルメタクリレートとからなる共重合体Aのフィルムに形成した潜像を現像させてレジストパターンを形成するために用いられる現像液において、安全性の高められた高性能の現像液を提供するとともに、それを用いるレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】 共重合体Aのフィルムに形成された潜像を現像させてレジストパターンを形成するために用いられる現像液であって、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、酢酸アミル及び酢酸ブチルの中から選ばれる少なくとも1種の溶剤を主成分とし、該共重合体に対する貧溶剤を補助溶剤とすることを特徴とするレジストパターン形成用現像液。

Claim (excerpt)：

スチレンとハロベンゾイルオキシアルキルメタクリレート及び/又はハロベンゾイルオキシヒドロキシアルキルメタクリレートとからなる共重合体のフィルムに形成された潜像を現像させてレジストパターンを形成するために用いられる現像液であって、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、酢酸アミル及び酢酸ブチルの中から選ばれる少なくとも1種の溶剤を主成分とし、該共重合体に対する貧溶剤を補助溶剤とすることを特徴とするレジストパターン形成用現像液。

IPC (4)：

G03F 7/32 ,  G03F 7/32 501 ,  G03F 7/038 505 ,  H01L 21/027

FI (5)：

G03F 7/32 ,  G03F 7/32 501 ,  G03F 7/038 505 ,  H01L 21/30 569 E ,  H01L 21/30 569 F

F-Term (22)：

2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC07 ,  2H025BD38 ,  2H025BD43 ,  2H025BD47 ,  2H025FA15 ,  2H025FA16 ,  2H096AA25 ,  2H096BA06 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096EA07 ,  2H096EA08 ,  2H096GA04 ,  2H096GA18 ,  5F046LA12 ,  5F046LA14