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J-GLOBAL ID:200903044651944743

トランジスタ増幅器

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 廣瀬 一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998170973
Publication number (International publication number):1999068471
Application date: Jun. 18, 1998
Publication date: Mar. 09, 1999
Summary:
【要約】【目的】 エミッタ接地型入力段トランジスタと、ベース接地型出力段トランジスタとを含むトランジスタ増幅器の直線性を改善すること。【構成】 エミッタ接地型入力段トランジスタ2と、ベース接地型出力トランジスタ8とを含み、入力段トランジスタ2のベースに予歪回路4を接続し、入力段トランジスタ2の非直線性、即ち歪を相殺する。この予歪回路はベース接地型トランジスタ4のエミックベース接合叉はバイアスされた半導体接合(ダイオード)である。
Claim (excerpt):
エミッタ接地型トランジスタより成る入力段を含むトランジスタ増幅器において、前記入力段トランジスタのベースに接続され、該入力段トランジスタのベースエミッタ接合と逆極性の半導体接合を含む予歪回路を設けたことを特徴とするトランジスタ増幅器。
IPC (2):
H03F 1/32 ,  H03F 1/22
FI (2):
H03F 1/32 ,  H03F 1/22
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (11)
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