酸化亜鉛系トランジスタ

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：溝上哲也 , 溝上満好 , 岩原義則 , 山本進
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005055823
Publication number (International publication number)：2006245105
Application date： Mar. 01, 2005
Publication date： Sep. 14, 2006
Summary：

【課題】バッファ層中に形成される電子縮退層の影響を無くし、また、チャネル層の酸化亜鉛自身の高抵抗化が容易に行えるようにする。【解決手段】基板2上に酸化亜鉛系チャネル層5、ゲート絶縁膜層6、ゲート電極9、ソース電極7、ドレイン電極8を形成した酸化亜鉛系トランジスタ1である。基板2とチャネル層5間に形成するバッファ層4を、マグネシウム組成が10原子%以上の高抵抗の酸化マグネシウム亜鉛で形成する。チャネル層5を、酸化亜鉛、あるいは、前記バッファ層4よりマグネシウム組成の含有量が小さい酸化マグネシウム亜鉛で形成する。【効果】バッファ層中に形成される電子縮退層の影響をなくすることができ、良好な特性を有する電子デバイスを形成できる。また、チャネル層の酸化亜鉛自身の高抵抗化が容易に行え、トランジスタの閾値電圧の制御性が良くなる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に酸化亜鉛系チャネル層、ゲート絶縁膜層、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を形成した酸化亜鉛系トランジスタにおいて、前記基板とチャネル層間に形成するバッファ層を、マグネシウム組成が10原子%以上の高抵抗の酸化マグネシウム亜鉛で形成すると共に、前記チャネル層を、酸化亜鉛、あるいは、前記バッファ層よりマグネシウム組成の含有量が小さい酸化マグネシウム亜鉛で形成することを特徴とする酸化亜鉛系トランジスタ。

IPC (1)：

H01L 29/786

FI (3)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 626C , H01L29/78 617T

F-Term (17)：

5F110AA08 , 5F110AA30 , 5F110CC01 , 5F110CC07 , 5F110DD04 , 5F110DD12 , 5F110DD17 , 5F110EE02 , 5F110EE43 , 5F110FF01 , 5F110GG04 , 5F110GG12 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110HK03 , 5F110HK32 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

薄膜トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-086175 Applicant：ミノルタ株式会社
薄膜トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-096983 Applicant：シャープ株式会社

Cited by examiner (5)

半導体装置およびそれを用いる表示装置
Gazette classification：再公表公報 Application number：JP2003003709 Applicant：川崎雅司, 大野英男, シャープ株式会社
半導体発光素子、およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-041888 Applicant：株式会社村田製作所
ZnO系半導体素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-087668 Applicant：信越半導体株式会社

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