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J-GLOBAL ID：200903044682543119

複合半導体基板及びその製造方法

Inventor： 桜井 哲真 ,  清水 道正
Applicant, Patent owner： エヌ・ティ・ティ・エレクトロニクステクノロジー株式会社 ,  宇部興産株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993020735
Publication number (International publication number)：1995058197
Application date： Jan. 14, 1993
Publication date： Mar. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】 低ダスト化に有利な基板端面のラウンディング形状を損なうことなく、外径寸法を保持するとともに、半導体基板どうしの位置ずれを防止する。【構成】 一の半導体基板21の一方の主面に形成された凹凸部に、この凹凸部とかみ合う他の半導体基板11の凸凹部を貼り合わせて構成される複合半導体基板であって、少なくとも、前記一の半導体基板21の主面上の前記他の半導体基板11が除去されている複合半導体基板。

Claim (excerpt)：

一の半導体基板の一方の主面に形成された凹凸部に、この凹凸部とかみ合う他の半導体基板の凸凹部を貼り合わせて構成される複合半導体基板であって、少なくとも、前記一の半導体基板の主面上の前記他の半導体基板が除去されている複合半導体基板。

IPC (3)：

H01L 21/762 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12