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J-GLOBAL ID：200903044701737531

半導体プラズマ処理装置の電極カバー

Inventor： 辰己 良昭
Applicant, Patent owner： 株式会社創造科学 ,  有限会社宮田技研
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995085883
Publication number (International publication number)：1996250465
Application date： Mar. 07, 1995
Publication date： Sep. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】半導体プラズマ処理装置の電極カバーの外表面にごみが沈積するのを防止できる電極カバーの構造に関わる。【構成】カバー材の表面下に凹部を形成し、該凹部に良熱伝導性材料を埋入して熱の伝導路を形成してなることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

カバー材の表面下に凹部を形成し、該凹部に良熱伝導性材料を埋入して熱の伝導路を形成してなることを特徴とする半導体プラズマ処理装置の電極カバー。