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J-GLOBAL ID：200903044704975654
半導体レーザとその製法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991092338
Publication number (International publication number)：1993090694
Application date： Apr. 23, 1991
Publication date： Apr. 09, 1993
Summary：
【要約】【目的】劈開によらず、エッチングにより垂直・平滑な端面ミラーを得て、発振閾値が小さく集積化が容易な半導体レーザを得るのを目的とする。【構成】{111}面に垂直な面方位を有する(1-10)p-InP基板1上に、<-1-11>方向に沿って導波路ストライプを形成し、エッチングにより導波路両端に{111}面の端面ミラー9a、9bを形成する。
Claim (excerpt)：
一対の端面ミラーで光共振器を構成する半導体レーザにおいて、上記一対の端面ミラーが{111}結晶面であることを特徴とする半導体レーザ。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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