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J-GLOBAL ID:200903044709196084

ネガ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 好宮 幹夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002032380
Publication number (International publication number):2003233185
Application date: Feb. 08, 2002
Publication date: Aug. 22, 2003
Summary:
【要約】【課題】 高感度及び高解像度、露光余裕度、プロセス適応性を有し、露光後のパターン形状が良好であり、さらに優れたエッチング耐性を示すネガ型レジスト材料、特に化学増幅ネガ型レジスト材料を提供する。【解決手段】 少なくとも、下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する、重量平均分子量が1,000〜500,000である高分子化合物を含むことを特徴とするネガ型レジスト材料。【化17】
Claim (excerpt):
少なくとも、下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する、重量平均分子量が1,000〜500,000である高分子化合物を含むことを特徴とするネガ型レジスト材料。【化1】( 式中、R1、R2はそれぞれ独立して、水素、ヒドロキシ基、直鎖状または分岐状アルキル基、置換可アルコキシ基、ハロゲン原子を表し、R3は水素原子またはメチル基を表す。また、nは0または1から4の正の整数であり、mは0または1から5の正の整数である。pは0または正数であり、rは正数である。)
IPC (7):
G03F 7/038 601 ,  C08F 12/22 ,  C08F 20/12 ,  C08F 32/08 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/033 ,  H01L 21/027
FI (7):
G03F 7/038 601 ,  C08F 12/22 ,  C08F 20/12 ,  C08F 32/08 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/033 ,  H01L 21/30 502 R
F-Term (38):
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025BE00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB17 ,  2H025CB55 ,  2H025CC03 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  2H025FA01 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AB07Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL09R ,  4J100AL10R ,  4J100AR10P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA20Q ,  4J100BB01R ,  4J100BB03R ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA31 ,  4J100DA01 ,  4J100HA08 ,  4J100HC27 ,  4J100HC45 ,  4J100HE13 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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