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J-GLOBAL ID：200903044716156640

レジストアッシング方法及びレジストアッシング装置

Inventor： 西川 清子
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994262979
Publication number (International publication number)：1996124909
Application date： Oct. 26, 1994
Publication date： May. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】半導体装置の製造工程において使用される有機レジストを除去するレジストアッシング方法に関し、金属パターンのコロージョンを防止するとともに、アッシングレートを大きくすること。【構成】種類の異なるアッシングガスのプラズマを複数の領域で別々に発生させ、前記種類の異なるアッシングガスのプラズマ内のそれぞれの活性種を前記複数の領域から離れた下流において混合し、混合された前記活性種を基板上のレジストに供給して該レジストをアッシングすることを含む。

Claim (excerpt)：

種類の異なるアッシングガスのプラズマを複数の領域で別々に発生させ、前記種類の異なるアッシングガスのプラズマ内のそれぞれの活性種を前記複数の領域から離れた下流において混合し、混合された前記活性種を基板上のレジストに供給して該レジストをアッシングすることを特徴とするレジストアシッシング方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/302 H ,  H01L 21/30 572 A