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J-GLOBAL ID：200903044717355078

III-V族化合物半導体ウエハ

Inventor： 澤田 滋 ,  森本 俊之
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995297082
Publication number (International publication number)：1997139365
Application date： Nov. 15, 1995
Publication date： May. 27, 1997
Summary：

【要約】【課題】 素子製造のプロセスにおける割れの発生が防止されたIII-V族化合物半導体ウエハを提供する。【解決手段】 2つの主面と端面との間に面取り部が形成されたGaAsからなる基材1と、その全外表面上に形成されたエピタキシャル層2とを備える。基材1をその厚さ方向に切断する面指数{011}断面上に現われる4つの面取り部の少なくとも1つの外形輪郭線上において、面指数{311}〜{331}の範囲にある面取り部の長さをLとすると、0<L≦150μmであることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

2つの主面と端面との間に面取り部が形成されたIII-V族化合物半導体ウエハであって、前記ウエハをその厚さ方向に切断する面指数{011}断面上に現われる4つの面取り部の少なくとも1つの外形輪郭線上において、面指数{311}〜{331}の範囲にある面取り部の長さをLとすると、0<L≦150μmであることを特徴とする、III-V族化合物半導体ウエハ。

IPC (2)：

H01L 21/304 301 ,  H01L 21/02

FI (2)：

H01L 21/304 301 B ,  H01L 21/02 B