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J-GLOBAL ID：200903044731485090

カーボンナノチューブカソードの製造方法

Inventor： 倉知 宏行 ,  上村 佐四郎 ,  江崎 智隆
Applicant, Patent owner： 株式会社ノリタケカンパニーリミテド
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002151952
Publication number (International publication number)：2003342012
Application date： May. 27, 2002
Publication date： Dec. 03, 2003
Summary：

【要約】【課題】 直径の小さな複数のカーボンナノチューブを備えたカーボンナノチューブカソードを容易に製造できるようにする。【解決手段】 ブロックコポリマー層102をエッチングし、選択的に粒状領域102aを除去し、複数の孔が形成されたブロックコポリマー層102を形成し、このブロックコポリマー層102をマスクとして基板101をエッチング加工し、基板101表面に複数の孔部101aを形成し、この孔部101a内に触媒金属層103を形成する。

Claim (excerpt)：

導電性を有する基板上にブロックコポリマーが溶解した有機材料からなるブロックコポリマー層を形成する第1工程と、前記ブロックコポリマー層を加熱して前記ブロックコポリマー層に相分離を起こし、このブロックコポリマー層の中に複数の粒状領域が分散した状態とする第2工程と、前記ブロックコポリマー層の中の前記粒状領域のエッチング速度が他の領域より速い条件で前記ブロックコポリマー層をエッチングし、前記粒状領域が除去されることで前記ブロックコポリマー層に複数の開口部を形成する第3工程と、前記開口部が形成された前記ブロックコポリマー層をマスクとして前記基板をエッチングし、前記基板に複数の孔部を形成する第4工程と、前記基板の前記複数の孔部の底に触媒金属層を形成する第5工程と、前記ブロックコポリマー層を除去する第6工程と、カーボンソースガスが導入された反応炉中に前記基板を配置してこの基板を加熱することで、前記触媒金属層の表面に化学的気相成長法によりカーボンナノチューブを成長させる第7工程とを少なくとも備えたことを特徴とするカーボンナノチューブカソードの製造方法。

IPC (4)：

C01B 31/02 101 ,  B82B 3/00 ,  C23C 16/26 ,  H01J 9/02

FI (4)：

C01B 31/02 101 F ,  B82B 3/00 ,  C23C 16/26 ,  H01J 9/02 B

F-Term (23)：

4G146AA11 ,  4G146AB06 ,  4G146AC03B ,  4G146AD23 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC25 ,  4G146BC33B ,  4K030BA27 ,  4K030FA10 ,  4K030FA14 ,  4K030FA17 ,  5C127BA09 ,  5C127BA15 ,  5C127BB07 ,  5C127CC03 ,  5C127DD07 ,  5C127DD08 ,  5C127DD12 ,  5C127DD52 ,  5C127EE15