強誘電体薄膜構成体とそれを用いた応用素子、及び、強誘電体薄膜構成体の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岩橋文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002280996
Publication number (International publication number)：2003204088
Application date： Sep. 26, 2002
Publication date： Jul. 18, 2003
Summary：

【要約】【課題】 (001)配向の薄膜でPbTiO3,PZTよりも容易に形成可能であり、Pbの欠損がない薄膜で且つ高い圧電特性を示す強誘電体薄膜を用いた構成体を得ることを目的とする。【解決手段】下部電極である金属電極2と、金属電極2上に形成され、且つ、(001)配向であり、化学式がPb(A1xA2(1-x))1-yTiyO3で表せ、A1が元素Mg,Ni,Znから少なくともひとつ以上選択され、A2がNb,Taから少なくともひとつ以上選択され、さらにx=1/3の組成であるペロブスカイト型酸化物の強誘電体薄膜3と、強誘電体薄膜3上に上部電極である金属電極4と、を有するように構成することで、高誘電率、高圧電特性を有する強誘電体膜構成体が得られる。

Claim (excerpt)：

金属を用いて形成した第一電極と、前記第一電極上に形成され、且つ、(001)配向であり、化学式がPb(A1xA2(1-x))1-yTiyO3で表せ、A1が元素Mg,Ni,Znから少なくともひとつ以上選択され、A2がNb,Taから少なくともひとつ以上選択され、さらにx=1/3の組成であるペロブスカイト型酸化物の強誘電体薄膜と、前記強誘電体薄膜上に金属により形成した第二電極と、を有する強誘電体膜構成体。

IPC (13)：

H01L 41/09 , C23C 14/08 , C23C 14/34 , H01L 27/105 , H01L 41/18 , H01L 41/22 , H01L 41/24 , H04R 1/00 310 , H04R 17/00 , H04R 17/00 330 , H04R 17/00 332 , H04R 31/00 , H04R 31/00 330

FI (14)：

C23C 14/08 E , C23C 14/34 N , H04R 1/00 310 G , H04R 17/00 , H04R 17/00 330 D , H04R 17/00 332 B , H04R 31/00 Z , H04R 31/00 330 , H01L 41/08 C , H01L 27/10 444 C , H01L 41/08 M , H01L 41/18 101 Z , H01L 41/22 A , H01L 41/22 Z

F-Term (28)：

4K029AA04 , 4K029BA02 , 4K029BA09 , 4K029BA12 , 4K029BA17 , 4K029BA18 , 4K029BB02 , 4K029BB07 , 4K029BC05 , 4K029CA05 , 4K029DC05 , 5D004BB02 , 5D004CC01 , 5D004DD01 , 5D004FF01 , 5D004GG00 , 5D017AA11 , 5D019BB03 , 5D019BB12 , 5D019BB18 , 5D019BB25 , 5D019FF01 , 5D019HH01 , 5D019HH02 , 5D019HH03 , 5F083FR01 , 5F083JA15 , 5F083JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

特開昭58-186105号公報
特開昭59-121119号公報
特開昭59-143384号公報

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