Pat
J-GLOBAL ID:200903044746567262

ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (5): 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006060005
Publication number (International publication number):2007240651
Application date: Mar. 06, 2006
Publication date: Sep. 20, 2007
Summary:
【課題】PEB Sensitivity及び解像性に優れたポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】酸解離性溶解抑制基を有し、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とを含有するポジ型レジスト組成物であって、前記樹脂成分(A)は、下記一般式(a0-1)で表される構成単位(a0)を含むことを特徴とするポジ型レジスト組成物。[化1][式中、Rは水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基を示し;n’は1または2の整数を示す。]【選択図】なし
Claim (excerpt):
酸解離性溶解抑制基を有し、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とを含有するポジ型レジスト組成物であって、 前記樹脂成分(A)は、下記一般式(a0-1)
IPC (4):
G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  G03F 7/004 ,  C08F 20/36
FI (4):
G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R ,  G03F7/004 501 ,  C08F20/36
F-Term (30):
2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA12 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA02R ,  4J100BA03P ,  4J100BA04R ,  4J100BA11Q ,  4J100BA11R ,  4J100BA15R ,  4J100BA40R ,  4J100BC02R ,  4J100BC03R ,  4J100BC04R ,  4J100BC08R ,  4J100BC09R ,  4J100BC12R ,  4J100BC49P ,  4J100BC53Q ,  4J100BC53R ,  4J100CA01 ,  4J100CA03 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1) Cited by examiner (7)
Show all

Return to Previous Page