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J-GLOBAL ID:200903044758771779

プラズマCVD装置およびプラズマCVD方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 石原 勝
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993192215
Publication number (International publication number):1995045542
Application date: Aug. 03, 1993
Publication date: Feb. 14, 1995
Summary:
【要約】【目的】 段差被覆率の高い平坦な膜を堆積形成できるようにする。【構成】 反応ガス導入口2を有する反応室1と、基板載置台13と、基板加熱用ヒータブロック14と、200KHz 〜1MHz の低周波電力を供給する低周波発振器16と、プラズマ放電用電極7に高周波電力を供給する高周波発振器4と、電極7を昇降自在に支持する伸縮性筒状のベローズ23とを備える。基板載置台13と電極7との間隔を4〜6mmに、反応室1内圧力を3〜10Torr に設定し、高周波電力と低周波電力とを供給する第1段階と、低周波電力のみを供給する第2段階とを組み合わせ、基板12上に膜を堆積させる。第2段階での基板載置台13と電極7との間隔を11mm以上に、反応室1内圧力を0.7Torr 以下に設定できる。高周波電力はパルス波であってもよい。
Claim (excerpt):
反応ガス導入口および排気口を有する反応室と、反応室内で被加工物たる基板を載置する基板載置台と、基板載置台に熱的に結合して設けられた基板加熱手段と、基板載置台に200KHz 〜1MHz の低周波電力を供給する低周波電力供給手段と、基板載置台に対向して配置されたプラズマ放電用電極と、プラズマ放電用電極に高周波電力を供給する高周波電力供給手段と、プラズマ放電用電極を昇降自在に支持し、基板載置台とプラズマ放電用電極との間隔を調整可能にする伸縮性筒状のベローズとを備えたことを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (3):
H01L 21/205 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/31
FI (2):
H01L 21/88 K ,  H01L 21/31 C
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
  • 特開平1-216523
  • 特開昭54-059878
  • 特開平4-049620
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