Pat
J-GLOBAL ID：200903044762817350

SiC結晶の液相エピタキシャル成長方法

Inventor：
梶ヶ谷 富男

About 梶ヶ谷 富男


Applicant, Patent owner：
住友金属鉱山株式会社

About 住友金属鉱山株式会社


Agent (1)： 上田 章三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998338506
Publication number (International publication number)：2000154096
Application date： Nov. 12, 1998
Publication date： Jun. 06, 2000
Summary：
【要約】【課題】 デバイス動作不良の原因となるマイクロパイプ、ポリタイプの混在等の結晶欠陥が無く、結晶の電気的特性に大きく影響を与える残留不純物濃度も大幅に低減された高品質でかつ大型のSiC結晶を育成可能なSiC結晶の液相エピタキシャル成長方法を提供する。【解決手段】 この液相エピタキシャル成長方法は、Si-Cの2成分系状態図に示される包晶点と共晶点間の組成を有するSi-C系融液を原料融液とし、この原料融液とSi基板若しくはSi基板上に設けられたSiC膜とを接触させて上記Si基板上若しくはSiC膜上にSiC結晶をエピタキシャル成長させることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
SiC結晶の液相エピタキシャル成長方法において、Si-Cの2成分系状態図に示される包晶点と共晶点間の組成を有するSi-C系融液を原料融液とし、この原料融液とSi基板若しくはSi基板上に設けられたSiC膜とを接触させて上記Si基板上若しくはSiC膜上にSiC結晶をエピタキシャル成長させることを特徴とするSiC結晶の液相エピタキシャル成長方法。
IPC (2)：
C30B 29/36 ,  H01L 21/208
FI (2)：
C30B 29/36 A ,  H01L 21/208 Z
F-Term (22)：
4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077CG10 ,  4G077DA19 ,  4G077EA02 ,  4G077EC08 ,  4G077ED06 ,  4G077QA26 ,  5F053AA33 ,  5F053BB02 ,  5F053BB06 ,  5F053BB08 ,  5F053BB09 ,  5F053BB15 ,  5F053DD02 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053HH01 ,  5F053HH04 ,  5F053LL10 ,  5F053RR03 ,  5F053RR20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 特開平3-295894
  • 特開平1-298100
  • 炭化珪素単結晶の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-234090   Applicant：株式会社デンソー
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM