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J-GLOBAL ID：200903044763092553

半導体レーザ装置

Inventor： 田淵 晴彦
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994105089
Publication number (International publication number)：1995312457
Application date： May. 19, 1994
Publication date： Nov. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体レーザをフォトディテクタとして使用したときの暗電流を小さくし, 光ファイバとの直接結合の際の光結合効率を高くする。【構成】 半導体基板 1の表面上に少なくとも一導電型半導体層21, 22と半導体からなるコア層 3と他導電型半導体層 4とが順に形成された積層膜を有し,基板の一端側に該コア層を導波路として構成された透明導波路部と,透明導波路部に続いて基板の他端側に形成され且つコア層を光増倍層とするレーザ発振部とからなり,透明導波路部及びレーザ発振部のそれぞれに少なくともコア層を切断して形成されたスリットにコア層よりワイドバンドギャップの半導体層で埋め込んだ第1のスリット部91及び第2のスリット部92と,基板の裏面に形成された第1の電極 5と, 第1のスリット部と第2のスリット部間において積層膜上に形成された第2の電極61とを有する半導体レーザ装置。

Claim (excerpt)：

半導体基板(1)の表面上に少なくとも1層の第1の導電形の半導体で層形成される第1の半導体層(2)と少なくとも1層以上の任意の導電形の半導体層より成るコア層(3)と少なくとも1層以上の第1の導電形と異なる導電形である第2の導電形の半導体層で形成される第2の半導体層(4)とが順に形成された積層膜を有し,第1の半導体層(2)と第2の半導体層(4)がクラッド層となりコア層(3)がコアとなる光導波路を具備する半導体レーザ装置で,且つ少なくとも2種類の性質の異なる光導波路を光軸を共通にして光軸方向に直列に配列した導波路構造を有する半導体レーザ装置において下記(イ),(ロ),(ハ)および(ニ)の要件を具備することを特徴とする半導体レーザ装置。(イ)光導波路の一端部側が該コア層(3)を光増幅層としてレーザ発振する部分(以下これをレーザ発振部(B)という)であり且つ光導波路の他端部側においては該コア層(3)の光吸収係数がレーザ発振部のコア層(3)の光吸収係数よりも小である(以下この相対的に光吸収係数が小であるコア層を含む光導波路部分を透明光導波路部(A又はA1およびA2)という)。(ロ)透明光導波路部(A又はA1およびA2)とレーザ発振部(B)の両方にスリット状でしかも該スリットが光導波路の光軸に交差ししかも少なくともコア層(3)を切断する深さを持つスリット状で且つコア層よりもワイドバンドギャップの半導体より成る第1のスリット部(91)を有する。(ハ)レーザ発振部(B)の透明光導波路部から離れた側の端部にスリット状でしかも該スリットが光導波路の光軸に交差ししかも少なくともコア層(3)を切断する深さを持つスリット状で且つコア層よりもワイドバンドギャップの半導体より成る第2のスリット部(92)を有する。(ニ)半導体基板(1)の裏面に第1の電極(5)を有し,第1のスリット部(91)と第2のスリット部(92)の間の積層膜上に第2の電極(61)を有する。