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J-GLOBAL ID：200903044768918077
素子分離膜の形成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995105442
Publication number (International publication number)：1996306677
Application date： Apr. 28, 1995
Publication date： Nov. 22, 1996
Summary：
【要約】【目的】 ホワイトリボンの発生を抑制できる素子分離膜の形成方法を提供する。【構成】 基板11上にパッド酸化膜12を介して成膜した窒化シリコン膜13をパターニングし、窒化シリコン膜13からなる酸化防止マスク14を形成する。乾燥酸化によって酸化防止マスク14から露出する基板11の表面部分に酸化膜15を生成する。加湿酸化によって酸化膜15を成長させ、成長させた酸化膜15からなる素子分離膜15aを形成する。これによって、基板11表面を直接加湿雰囲気にさらすことなく、窒化シリコンを酸化防止マスク14にした加湿酸化によって素子分離膜15aが形成される。
Claim (excerpt)：
基板上に成膜した窒化シリコン膜をパターニングし、当該基板上に当該窒化シリコン膜からなる酸化防止マスクを形成する工程と、乾燥酸化によって前記酸化防止マスクから露出する前記基板の表面部分に酸化膜を生成する工程と、加湿酸化によって前記酸化膜を成長させて素子分離膜を形成する工程とを備えたことを特徴とする素子分離膜の形成方法。
IPC (3)：
H01L 21/316
, H01L 21/318
, H01L 21/76
H01L 21/94 A
, H01L 21/316 S
, H01L 21/318 A
, H01L 21/76 M
