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J-GLOBAL ID：200903044770199010

薄膜トランジスタ

Inventor： 毛利 幹雄 ,  柿沼 弘明
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993236830
Publication number (International publication number)：1995094737
Application date： Sep. 22, 1993
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 ポリSi薄膜トランジスタの移動度を高める。【構成】 基板面38a 上にソース電極32を設け、この電極32を絶縁層44で覆う。絶縁層44に窓44b を設け、この窓44b からソース電極32の一部を露出させる。そして窓44b から露出するソース電極32上に順次に、n+ -ポリSiオーミック層40、ノンドープポリSi活性層30、n+ -ポリSiオーミック層42及びドレイン電極34を設ける。さらに窓44b に隣接させて活性層30の側部に窓44c を設け、この窓44c 内部から外部まで延在させてゲート電極36を設ける。窓44b、44c の間の絶縁層44をゲート絶縁膜44a とする。活性層30の結晶粒が細長く成長する方向Vにおて活性層30を挟むようにソース電極32及びドレイン電極34を設けることにより、目的を達成する。

Claim (excerpt)：

細長く成長した複数の結晶粒を有するポリSi活性層と、前記結晶粒の長手方向において活性層を挟むように設けた第一及び第二主電極と、前記結晶粒の長手方向と交差する方向における活性層側部に設けた制御電極とを備えて成ることを特徴とする薄膜トランジスタ。