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J-GLOBAL ID:200903044772178860

半導体チップ及びその実装方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 大西 健治
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995231047
Publication number (International publication number):1997082889
Application date: Sep. 08, 1995
Publication date: Mar. 28, 1997
Summary:
【要約】【課題】 容量成分の影響を受け易いセンシティブエリアのまわりに、空間部が形成されるように接続部を樹脂封止することができ、封止樹脂を有する誘電率により発生する容量成分が、影響を受けやすいパターン上にのることがない半導体チップ及びその実装方法を提供する。【解決手段】 半導体チップ21上には電極22とセンシティブエリア28が形成されている。ここでは、半導体チップ21の四方に電極22が形成されており、センシティブエリア28は、可能な限り半導体チップ21の中央部に形成するようにする。また、半導体チップ21はペースト23により実装基板24の所定の場所に固定され、半導体チップ21上の電極22と実装基板24上のパッド25は、ワイヤ26で電気的に接続され、そのワイヤボンディング部のみを封止樹脂27で封止し、センシティブエリア28が封止樹脂27で封止されないようにする。
Claim (excerpt):
高速動作又は低電圧動作等を行う半導体チップにおいて、容量成分の影響を受け易いセンシティブエリアを入出力用電極から隔離できる位置に形成するようにしたことを特徴とする半導体チップ。
IPC (3):
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 23/12 301
FI (2):
H01L 27/04 A ,  H01L 23/12 301 Z

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