プラズマ処理装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997001973
Publication number (International publication number)：1998199698
Application date： Jan. 09, 1997
Publication date： Jul. 31, 1998
Summary：

【要約】【課題】真空容器内において安定なプラズマを発生させることができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】誘電体で形成されたマイクロ波透過部材10を介して真空容器2内にマイクロ波を導入し、このマイクロ波を前記真空容器2内に導入された反応ガスに照射してプラズマを発生させるようにしたプラズマ処理装置である。そして、前記マイクロ波透過部材10の厚さを前記誘電体内における前記マイクロ波の半波長の整数倍とする。

Claim (excerpt)：

誘電体で形成されたマイクロ波透過部材を介して真空容器内にマイクロ波を導入し、このマイクロ波を前記真空容器内に導入された反応ガスに照射してプラズマを発生させるようにしたプラズマ処理装置において、前記マイクロ波透過部材の厚さを前記誘電体内における前記マイクロ波の半波長の整数倍としたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (2)：

H05H 1/46 , H01L 21/3065

FI (2)：

H05H 1/46 B , H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

マイクロ波プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-123347 Applicant：株式会社日立製作所
マイクロ波プラズマ発生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-074800 Applicant：株式会社東芝
特開平4-225226

Show all

Return to Previous Page