半導体装置およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高田守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992347712
Publication number (International publication number)：1994204334
Application date： Dec. 28, 1992
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】活性層エッジの寄生トランジスタの発生を防止する。【構成】絶縁膜20上の半導体層21のうちのNMOS領域に対し、窒化膜23、レジスト243aをマスクとしてボロンイオンの注入を回転斜め注入を用いて注入する。LOCOS法で素子分離が行われる領域近傍、即ちNMOSトランジスタの活性層となる半導体層21のエッジ領域にのみ3×1013/cm2 程度のボロンイオンを注入する。【効果】 LOCOS酸化後においてボロンイオンが酸化膜に吸い取られない程度まで不純物濃度が高められる。

Claim (excerpt)：

(a)半導体層と、(b)前記半導体層の下に形成され、前記半導体層の近傍において前記半導体層と比較して高い不純物濃度を有する絶縁膜と、を備える半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/76 , H01L 21/265 , H01L 21/316 , H01L 27/08 331 , H01L 29/784

FI (4)：

H01L 21/265 V , H01L 21/265 J , H01L 21/94 A , H01L 29/78 311 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開昭58-151057
特開昭57-040954
特開昭62-179143

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