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J-GLOBAL ID：200903044801532104

光半導体装置

Inventor： ジョン・レニー ,  波多腰 玄一
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994042364
Publication number (International publication number)：1995249836
Application date： Mar. 14, 1994
Publication date： Sep. 26, 1995
Summary：

【要約】【目的】従来の II-VI族化合物半導体を用いた場合よりも、デバイス特性や信頼性の面で優れた光半導体装置を提供すること。【構成】n型InP基板1上に発光領域(クラッド層5,9、活性層7、光学ガイド層6,8)を備え、この発光領域がCax Cdy Zn1-x-y Sp Seq Te1-p-q (0≦x≦1,0≦y≦1,0≦1-x-y≦1,0≦p≦1,0≦q≦1,0≦1-p-q≦1)からなる材料で形成されていることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板上に発光領域を備え、この発光領域がCax Cdy Zn1-x-y Sp SeqTe1-p-q (0≦x≦1,0≦y≦1,0≦1-x-y≦1,0≦p≦1,0≦q≦1,0≦1-p-q≦1(組成比条件))からなる材料で形成されていることを特徴とする光半導体装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00