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J-GLOBAL ID：200903044809774581

トランジスタ構造

Inventor： 石神 俊一郎 ,  小森 重樹 ,  降屋 久 ,  犬石 昌秀
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社 ,  三菱電機株式会社
Agent (1)： 須田 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995095128
Publication number (International publication number)：1996288280
Application date： Apr. 20, 1995
Publication date： Nov. 01, 1996
Summary：

【要約】【目的】 VLSI,ULSI等の超微細構造にするために集積化及び実装密度を高めてもフィールド酸化膜の端縁における圧縮応力に伴う弾性、塑性歪みを増大させずにpn接合リーク電流を低減し得る。DRAMの場合、リフレッシュ頻度を減少し、リフレッシュタイムを増大できる。【構成】 シリコン基板10表面に活性領域18がフィールド酸化膜17で四方を囲まれ四角形に形成されたトランジスタ構造に関し、四角形の活性領域18がその端縁(LOCOS端)18aを基板10の<110>方向のシリコン結晶方位から45 ゚傾けることにより<100>方向の結晶方位に揃えて形成されたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

シリコン基板(10)表面に活性領域(18)がフィールド酸化膜(17)で四方を囲まれ四角形のパターンに形成されたトランジスタ構造において、前記四角形の活性領域(18)がその端縁(18a)を前記基板(10)の<110>方向のシリコン結晶方位から45 ゚傾けることにより<100>方向の結晶方位に揃えて形成されたことを特徴とするトランジスタ構造。

IPC (5)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/78

FI (4)：

H01L 21/94 A ,  H01L 21/76 M ,  H01L 27/10 681 D ,  H01L 29/78 301 Q