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J-GLOBAL ID：200903044815604434

半導体装置

Inventor： 片岡 豊▲隆▼
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 尾川 秀昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994071500
Publication number (International publication number)：1995254704
Application date： Mar. 16, 1994
Publication date： Oct. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体基板1とゲート絶縁膜2との界面における界面準位密度を高めたりトランジスタの電流駆動能力を低めたりすることなく急速昇降温による上記界面における急激な応力変化を防止してホットエレクトロン耐性を高める。【構成】 ゲート絶縁膜2を、シリコン半導体基板1の表面に形成されたシリコン酸化膜2と、このシリコン酸化膜2aの表面に形成されこのシリコン酸化膜2aよりも厚いシリコン窒化酸化膜2bによる二層構造にする。

Claim (excerpt)：

ゲート絶縁膜が、シリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン酸化膜と、このシリコン酸化膜の表面に形成されこのシリコン酸化膜よりも厚いシリコン窒化酸化膜から形成されていることを特徴とする半導体装置

IPC (3)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-308828   Applicant：株式会社日立製作所